- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11587 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par la configuration vue du dessus
Détention brevets de la classe H01L 27/11587
Brevets de cette classe: 172
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
1
|
7
|
18
|
19
|
51
|
46
|
28
|
6
|
| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
59 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
32 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
12 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
11 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
7 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
5 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
4 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
4 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
3 |
| Sunrise Memory Corporation | 192 |
3 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 64 |
3 |
| Intel Corporation | 45621 |
2 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
2 |
| Lam Research Corporation | 4775 |
2 |
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3677 |
2 |
| Nustorage Technology Co., Ltd. | 6 |
2 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
2 |
| Sony Corporation | 32931 |
1 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
1 |
| Synopsys, Inc. | 2829 |
1 |
| Autres propriétaires | 14 |